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DGD2190MS8-13
Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,827 € |
| 250+ | 0,777 € |
| 500+ | 0,748 € |
| 1000+ | 0,740 € |
| 2500+ | 0,732 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDGD2190MS8-13
Bestellnummer3838498RL
Technisches Datenblatt
Anzahl der Kanäle2Kanäle
Gate-Treiber-
TreiberkonfigurationHigh-Side und Low-Side
LeistungsschalterIGBT, MOSFET
Anzahl der Pins8Pin(s)
Bauform - TreiberSOIC
IC-Gehäuse / BauformSOIC
IC-MontageOberflächenmontage
EingangLogik
Quellstrom4.5A
Sinkstrom4.5A
Versorgungsspannung, min.10V
Versorgungsspannung, max.20V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.125°C
Eingabeverzögerung140ns
Ausgabeverzögerung140ns
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
2Kanäle
Treiberkonfiguration
High-Side und Low-Side
Anzahl der Pins
8Pin(s)
IC-Gehäuse / Bauform
SOIC
Eingang
Logik
Sinkstrom
4.5A
Versorgungsspannung, max.
20V
Betriebstemperatur, max.
125°C
Ausgabeverzögerung
140ns
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Gate-Treiber
-
Leistungsschalter
IGBT, MOSFET
Bauform - Treiber
SOIC
IC-Montage
Oberflächenmontage
Quellstrom
4.5A
Versorgungsspannung, min.
10V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Eingabeverzögerung
140ns
Produktpalette
-
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung