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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerBSS127S-7
Bestellnummer3127244RL
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id50mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand160ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)80ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung Pd610mW
Verlustleistung610mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
BSS127S-7 is a N-channel enhancement mode field MOSFET. This new generation uses advanced planar technology MOSFET, providing excellent high voltage and fast switching, making it ideal for small-signal and level shift applications. Typical applications include motor control, backlighting, DC-DC converters, power management functions.
- Low input capacitance, low input/output leakage
- High BVDSS rating for power application
- Drain-source voltage is 600V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 50mA at TA=+25°C, VGS=10V, steady state
- Pulsed drain current is 0.16A at TA=+25°C, TSP=+25°C
- Power dissipation at TA=+25°C is 0.61W
- Static drain-source on-resistance is 80 ohm typ at VGS=10V, ID=16mA, TA=+25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
160ohm
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
610mW
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
50mA
Betriebswiderstand, Rds(on)
80ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Verlustleistung
610mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000005
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