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BC847C-7-F
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerBC847C-7-F
Bestellnummer1773609RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.45V
Dauerkollektorstrom100mA
Verlustleistung310mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz300MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.600hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell BC847C-7-F handelt es sich um einen NPN-Kleinsignal-Bipolartransistor, der sich hervorragend für die automatische Bestückung sowie für Schalt- und AF-Verstärkeranwendungen eignet.
- Flammfest gemäß UL94V-0
- Komplementäre PNP-Ausführungen: BC856 - BC858
- Halogenfrei, umweltfreundlich
- Betriebstemperatur: -65 bis 150°C
Anwendungen
Verteidigung, Militär und Luft- & Raumfahrt, Fahrzeugelektronik, Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
600hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
45V
Verlustleistung
310mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
300MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Alternativen für BC847C-7-F
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000047
Produktnachverfolgung