2N7002T-7-F
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 500+ | 0,0846 € |
| 1500+ | 0,0661 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell 2N7002T-7-F handelt es sich um einen n-Kanal-MOSFET (Anreicherungstyp) mit Kunststoffgehäuse und lötbaren Anschlüssen mit Mattverzinnung über Legierung 42 gemäß MIL-STD-202. Dieser MOSFET ist ausgelegt zur Minimierung des Durchgangswiderstands RDS(on) und behält dennoch eine herausragende Schaltleistung bei, wodurch er sich hervorragend für Power-Management-Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad eignet.
- Niedriger ON-Widerstand
- Niedrige Gate-Schwellenspannung
- Niedrige Eingangskapazität
- Hohe Schaltfrequenz
- Niedriger Eingangs-/Ausgangsleckstrom
- Äußerst kompaktes SMD-Gehäuse
- Halogenfrei, umweltfreundlich
- Feuchtigkeitsempfindlichkeit: MSL1 gemäß J-STD-020
- Flammfest gemäß UL94V-0
Anwendungen
Power-Management, Verteidigung, Militär und Luft- & Raumfahrt, Beleuchtung, Gewerbe
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
115mA
SOT-523
10V
150mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
60V
7.5ohm
Oberflächenmontage
2V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat