S25FL512SAGBHI310

S25FL512SAGBHI310 ist ein nichtflüchtiger 512MB-MirrorBit®-Flash-Speicher mit 3V-CMOS-Core und einer vielseitigen, seriellen I/O-Peripherieschnittstelle mit Multi-I/O. Herkömmliche serielle SPI-Protokolle mit 1 Bit breiten Befehlen werden genauso unterstützt wie optionale serielle 2-Bit- und 4-Bit-Befehle. Dies wird SPI-Multi-I/O oder MIO genannt. Zudem unterstützt der Baustein der Produktreihe FL-S DDR (Double Data Rate)-Lesebefehle für SIO, DIO und QIO, die an beiden Flanken des Takts Adressen übertragen und Daten lesen. Die Eclipse-Architektur verfügt über einen Seitenprogrammierpuffer, der die Programmierung von bis zu 256 Wörtern (512 Bytes) in einem Arbeitsgang ermöglicht, wodurch ein im Vergleich zu SPI-Programmier- oder -Löschalgorithmen schnelleres, effektives Programmieren und Löschen ermöglicht wird. Durch die Verwendung des Speicherbausteins der Produktreihe FL-S bei höheren unterstützten Taktraten, mit QIO- oder DDR-QIO-Befehlen, kann die Übertragungsrate zum Lesen von Befehlen denen herkömmlicher asynchroner NOR-Flash-Speicher mit paralleler Schnittstelle entsprechen oder diese übertreffen, während die Signalanzahl deutlich reduziert wird.

• SPI-Taktpolarität und Phasenmodi 0 und 3
• Serieller Befehlssatz und Grundfläche kompatibel mit den SPI-Bausteinen der Produktfamilien S25FL-A, S25FL-K und S25FL-P
• Multi-I/O-Befehlssatz und Grundfläche kompatibel mit den SPI-Bausteinen der Produktfamilie S25FL-P
• Common Flash Interface (CFI)-Daten für Konfigurationsinformation
• Quad-input Page Programming (QPP) für Systeme mit langsamem Takt
• Lebensdauer, typ.: 100000 Programmier-/Löschzyklen in jedem Bereich
• Datenspeicherung, typ.: 20 Jahre
• Statusregister-Bits zum Steuern des Schutzes gegen Programmieren/Löschen von zusammenhängenden Bereichen
• Erweiterter Bereichsschutz
• 65nm-MirrorBit-Technologie mit Eclipse™-Architektur