S25FL128LAGMFI010

Der S25FL128LAGMFI010 ist ein nichtflüchtiger Flash-Speicher-IC der FL-L-Familie mit mehreren I/O und einer Versorgungsspannung von 3V. Die Verbindung zum Host-System erfolgt seriell über eine SPI-Schnittstelle. Herkömmliche serielle SPI-Ein- und -Ausgänge mit einem Bit werden ebenfalls unterstützt sowie optionale zwei und vier Bit breite Quad-I/O und Quad-Peripherieschnittstellen-Befehle. Darüber hinaus bietet der Baustein Lesebefehle mit doppelter Datenrate für QIO und QPI, die Adress- und Lesedaten an beiden Taktflanken übertragen. Bei höheren unterstützten Taktraten und Quad-Befehlen kann die Befehlsleseübertragungsrate gleich oder höher als bei herkömmlichen asynchronen NOR-Flash-Speicherbausteinen mit paralleler Schnittstelle sein, und das bei deutlich reduzierter Signalmenge. Der Speicher-IC bietet eine hohe Speicherdichte in Kombination mit der für viele mobile und Embedded-Anwendungen nötigen Flexibilität und Geschwindigkeit. Er stellt eine ideale Speicherlösung für Systeme mit wenig Platz und Leistung und eingeschränkten Signalverbindungen dar und ist optimal für Code-Shadowing zum RAM, direkte Code-Ausführung und Speicherung mehrmalig programmierbarer Daten geeignet.

• Speicherdichte: 128Mbit; Floating-Gate-Verfahren mit 65nm-Lithographie; Geschwindigkeit: 133MHz
• Taktpolarität und Phasenmodi 0 und 3
• Befehle: Normal, Fast, Dual-I/O, Quad-I/O, dualO, QuadO, DDR-Quad-I/O
• Modi: Burst-Wrap, kontinuierlich (XIP), QPI; Anhalten und Fortsetzen von Programmen
• Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP) für Konfigurationsinformation
• Löschfunktionen: konstantes 4KB-Sector Erase, konstantes 32KB-Halfblock Erase, 64KB-Block Erase
• Chip Erase-Befehl; Anhalten und Fortsetzen von Löschvorgängen
• Lebensdauer: min. 100000 Programmier-/Löschzyklen; Datenspeicherung: min. 20 Jahre
• Versorgungsspannungsbereich: 2.7V bis 3.6V; nach AEC-Q100 Klasse 3 qualifiziert
• 8-poliges SOIC-Gehäuse; industrieller Temperaturbereich: -40°C bis +85°C