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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNSVMUN5211DW1T2G
Bestellnummer3617355
ProduktpaletteMUN5211DW1 Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 14 Woche(n)
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
3000+ | 0,0498 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
149,40 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNSVMUN5211DW1T2G
Bestellnummer3617355
ProduktpaletteMUN5211DW1 Series
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Dauerkollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R110kohm
Basis-Emitter-Widerstand R210kohm
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung385mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.35hFE
ProduktpaletteMUN5211DW1 Series
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Basis-Eingangswiderstand R1
10kohm
Bauform - Transistor
SOT-363
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
MUN5211DW1 Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauerkollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
10kohm
Anzahl der Pins
6 Pins
Verlustleistung
385mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
35hFE
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1
Produktnachverfolgung