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47.2A Galliumnitrid (GaN)-FETs:
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Drain-Source-Spannung Vds
Dauer-Drainstrom Id
Drain-Source-Durchgangswiderstand
Gate-Ladung, typ.
Bauform - Transistor
Transistormontage
Anzahl der Pins
Produktpalette
Qualifikation
Verpackung
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| Vergleichen | Preiseinheit | Menge | ||||||||||||||
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Stück | 1+ 13,780 € 5+ 13,130 € 10+ 12,470 € 50+ 11,610 € 100+ 10,740 € Weitere Preise … | Min.: 1 / Mult.: 1 | 650V | 47.2A | 0.041ohm | 22nC | TO-247 | Durchsteckmontage | 3Pin(s) | - | - | |||||
Stück | 1+ 18,910 € 5+ 18,570 € 10+ 18,230 € 50+ 16,220 € 100+ 14,220 € Weitere Preise … | Min.: 1 / Mult.: 1 | 650V | 47.2A | 0.041ohm | 22nC | TO-247 | Durchsteckmontage | 3Pin(s) | SuperGaN Series | AEC-Q101 | |||||
