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VP2206N3-G
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 640 mA, 0.75 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,450 € |
| 25+ | 2,030 € |
| 100+ | 1,840 € |
| 1000+ | 1,800 € |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerMICROCHIP
HerstellerteilenummerVP2206N3-G
Bestellnummer3580724
ProduktpaletteVP2206
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id640mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.75ohm
Bauform - TransistorTO-92
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung740mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteVP2206
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
640mA
Bauform - Transistor
TO-92
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
740mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.75ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
VP2206
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung