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HST9-B120
Fototransistor, 1000 nm, 140 °, 100 mW, 3 Pin(s), SMD
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,000 € |
| 10+ | 0,705 € |
| 25+ | 0,644 € |
| 50+ | 0,584 € |
| 100+ | 0,523 € |
| 500+ | 0,442 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerBROADCOM
HerstellerteilenummerHST9-B120
Bestellnummer4628545
Technisches Datenblatt
Wellenlänge, typ.1000nm
Abstrahlwinkel140°
Stromverbrauch100mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Bauform - TransistorSMD
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
1000nm
Stromverbrauch
100mW
Bauform - Transistor
SMD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Abstrahlwinkel
140°
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung