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BSDD08G65E2
SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5000+ | 1,070 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerBOURNS
HerstellerteilenummerBSDD08G65E2
Bestellnummer4284333RL
Technisches Datenblatt
Produktpalette-
DiodenkonfigurationEinfach
Periodische Spitzensperrspannung650V
Durchschnittlicher Durchlassstrom8A
Kapazitive Gesamtladung12nC
Bauform - DiodeTO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.175°C
DiodenmontageOberflächenmontage
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Produktpalette
-
Periodische Spitzensperrspannung
650V
Kapazitive Gesamtladung
12nC
Anzahl der Pins
3 Pins
Diodenmontage
Oberflächenmontage
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Diodenkonfiguration
Einfach
Durchschnittlicher Durchlassstrom
8A
Bauform - Diode
TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Keine Angabe
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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