LTC7060IMSE#WTRPBF

LTC7060 steuert zwei n-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrücken-Konfiguration mit Versorgungsspannungen von bis zu 100V an. Sowohl High-Side- als auch Low-Side-Treiber können die MOSFETs ansteuern mit einer unterschiedlichen Bezugsmasse, wodurch eine herausragende Beständigkeit gegen Rauschen und Transienten erreicht wird. Die leistungsstarken 0.8-Ohm-Pull-Down- und 1.5-Ohm-Pull-Up-MOSFET-Treiber ermöglichen die Verwendung von Hochspannungs-MOSFETs mit hoher Gate-Kapazität. Zusätzliche Funktionen umfassen UVLO, 3-State-PWM-Eingang, einstellbare Einschalt-/Ausschaltverzögerungen und Shoot-Through-Schutz. Dieser Baustein wird unter anderem in folgenden Anwendungen eingesetzt: Stromversorgungssysteme in Kfz und Industrie, Stromversorgungssysteme in der Telekommunikation, Halbbrücken- und Vollbrückenwandler.

• Einzigartige symmetrische Floating-Gate-Treiberarchitektur; qualifiziert gemäß AEC-Q100 für Kfz-Anwendungen
• Hohe Störfestigkeit, toleriert ± 10V Massedifferenz zwischen den Massen von Eingang und Ausgang
• Eingangsspannung, max.: 100V, unabhängig von der IC-Versorgungsspannung VCC
• VCC-Betriebsspannung: 6V bis 14V; Gate-Treiberspannung: 4V bis 14V
• 0.8-Ohm-Pull-Down-, 1.5-Ohm-Pull-Up-MOSFET-Treiber für schnelles Ein-/Ausschalten
• Adaptiver Shoot-Through-Schutz, programmierbare Totzeit
• 3-State-PWM-Eingang mit Enable-Pin, UVLO/OVLO für VCC und UVLO für potentialfreie Spannungsversorgungen
• Steuert zwei n-Kanal-MOSFETs an, Open-Drain-Fehleranzeige
• Shoot-Through-Schutz; Spannung, absolutes Maximum: 115V; UVLO, VCC fallend: 5.3V
• 12-poliges MSSOP-Kunststoffgehäuse; Temperaturbereich: -40°C bis 125°C

Hinweise

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