LTC4444EMS8E-5#TRPBF

LTC4444-5 ist ein Gate-Treiber (Hochfrequenz, Hochspannung), der zwei n-Kanal-MOSFET in einem synchronen DC/DC-Wandler mit Versorgungsspannungen von bis zu 100V ansteuert. Dieser leistungsstarke Treiber reduziert Schaltverluste in MOSFET mit hoher Gate-Kapazität. Er wurde konfiguriert für zwei versorgungsunabhängige Eingänge. Es erfolgt eine interne Pegelumsetzung des High-Side-Eingangs-Logiksignals zur Bootstrap-Versorgung, die bei bis zu 114V über Masse arbeiten kann. Dieser Baustein umfasst Schaltungen zur Unterspannungsabschaltung, die im aktivierten Zustand die externen MOSFET deaktivieren. Ein adaptiver Shoot-Through-Schutz verhindert, dass beide MOSFET gleichzeitig leiten. Dieser Baustein wird häufig unter anderem in folgenden Anwendungen eingesetzt: dezentrale Stromversorgungsarchitekturen, Netzteile für Kfz, High-Density-Stromversorgungsmodule und Telekommunikationssysteme.

• Betriebsspannung: 4.5V bis 13.5V
• TG-Spitzen-Pull-Up-Strom: typ. 1.4A; Unterspannungsabschaltung
• BG-Spitzen-Pull-Up-Strom: typ. 1.75A
• BG-Pull-Down-Widerstand: 0.75 Ohm
• Anstiegszeit TG-Ausgang: typ. 8ns (10% – 90%, CL = 1nF)
• Abfallzeit BG-Ausgang: typ. 3ns (10% – 90%, CL = 1nF)
• Abfallzeit TG-Ausgang: typ. 5ns (10% – 90%, CL = 1nF)
• Anstiegszeit BG-Ausgang: typ. 6ns (10% – 90%, CL = 1nF)
• Betriebstemperatur: -40°C bis 125°C
• 8-poliges MSOP-Kunststoffgehäuse

Hinweise

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