LT1160CN#PBF

LT®1160 ist ein kostengünstiger Halbbrücken-n-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber. Der potentialfreie Treiber steuert die oberen n-Kanal-Leistungs-MOSFETs an und arbeitet mit einer Hochspannungsversorgung (HV) von bis zu 60V. Die interne Logik verhindert, dass die Eingänge die Leistungs-MOSFETs in einer Halbbrücke gleichzeitig einschalten. Dank des einzigartigen adaptiven Schutzes gegen Shoot-Through-Ströme ist für die beiden MOSFETs keinerlei Abgleich erforderlich. Dadurch wird das Design hocheffizienter Motorsteuerungs- und Schaltreglersysteme deutlich vereinfacht. Bei niedriger Versorgungsspannung oder während des Anlaufens, zieht die Unterspannungsabschaltung die Treiberausgänge aktiv auf Low, um zu verhindern, dass die Leistungs-MOSFETs teilweise eingeschaltet werden. Die Hysterese von 0.5V gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb auch bei langsam veränderlichen Versorgungsspannungen. Typische Anwendungen umfassen: PWM induktiver Hochstromlasten, Halbbrücken- und Vollbrücken-Motorsteuerung, synchrone Abwärtsschaltregler, Antriebe für bürstenlose Drehstrommotoren, Hochstrom-Messwandlertreiber, Class-D-Leistungsverstärker.

• Potentialfreier oberer Treiber schaltet bis 60V
• Gate-Ansteuerung des oberen n-Kanal-MOSFETs über Last-HV-Versorgung
• Adaptive nicht überlappende Gate-Ansteuerung verhindert Shoot-Through
• Schutz der oberen Ansteuerung bei hohem Tastverhältnis; TTL/CMOS-Eingangspegel
• Unterspannungsabschaltung mit Hysterese; separate Ansteuerpins für oben und unten
• DC-Versorgungsstrom: max. 15mA (V+=15V, VINTOP=0.8V, VINBOTTOM=2V)
• Eingangsstrom: max. 25µA (VINTOP=VINBOTTOM=4V, TA=25°C, V+=VBOOST=12V, VTSOURCE=0V, CGATE =3000pF)
• 14-poliges PDIP-Gehäuse
• Kommerzieller Betriebstemperaturbereich: 0°C bis 70°C

Hinweise

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