HMC219BMS8GETR

HMC219B ist ein stark miniaturisierter, universeller, doppelt symmetrischer Mischerbaustein. Der als monolithische integrierte Mikrowellenschaltung (MMIC) ausgeführte, passive Mischer wird mit einem GaAs-basierten (Galliumarsenid) MESFET-Prozess (Metal Semiconductor Field Effect Transistor) hergestellt und erfordert keine externen Bauelemente oder Abstimmschaltungen. Er kann als Aufwärtswandler, Abwärtswandler, Zweiphasen-Demodulator oder Phasenkomparator von 2.5GHz bis 7GHz dienen. Dank optimierter Balun-Strukturen ist eine herausragende LO-HF- und LO-ZF-Isolation gegeben. Der Baustein ist mit SMD-Massenfertigungsverfahren kompatibel; Drahtbonden ist nicht nötig. Typische Anwendungen umfassen: Richtfunk, Hochleistungs-WLAN (HiperLAN), Funk im lizenzfreien Frequenzband (UNII), Funk im ISM-Band.

• Umwandlungsverlust: typ. 9dB (TA = 25°C, ZF = 100MHz)
• LO/HF-Isolation: typ. 40dB (TA = 25°C, ZF = 100MHz)
• LO/ZF-Isolation: typ. 35dB (TA = 25°C, ZF = 100MHz)
• HF/ZF-Isolation: typ. 22dB (TA = 25°C, ZF = 100MHz)
• Eingangs-IP3: typ. 18dBm (TA = 25°C, ZF = 100MHz)
• Eingangs-P1dB: typ. 11dBm (TA = 25°C, ZF = 100MHz)
• Eingangs-IP2: typ. 55dBm (TA = 25°C, ZF = 100MHz)
• Passive, doppelt symmetrische Topologie
• Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
• 8-poliges MINI-SO-EP-Gehäuse

Hinweise

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