DS1245Y-70IND+

Der DS1245Y-70IND+ ist ein nichtflüchtiger 1024K-SRAM im 32-poligen EDIP-Gehäuse. Der 1048576 Bit fassende, vollkommen statische und nichtflüchtige SRAM-Speicher ist als 131072 Wörter x 8 Bit organisiert. Er hat eine eigenständige Lithium-Energiequelle und eine Steuerschaltung, die VCC kontinuierlich auf Toleranzüberschreitungen überwacht. Wenn eine solche Überschreitung auftritt, wird die Lithium-Energiequelle automatisch eingeschaltet, und der Schreibschutz wird uneingeschränkt aktiviert, um Datenkorruption zu verhindern. Die Lithium-Energiequelle ist bei der Lieferung elektrisch getrennt, um volle Energiekapazität zu garantieren, wenn zum ersten Mal die Stromversorgung hergestellt wird. Der DIP-Baustein DS1245 kann anstelle vorhandener statischer 128Kx8-RAMs verwendet werden und entspricht dabei direkt dem gängigen 32-poligen DIP-Standard für Bytewide-Speicherbausteine. Es gibt keine Begrenzung der Anzahl von Schreibzyklen, die ausgeführt werden können, und es ist keine zusätzliche Unterstützungsschaltung für den Anschluss an den Mikroprozessor erforderlich.

• Versorgungsspannungsbereich: 4.5V bis 5.5V
• Betriebstemperaturbereich: -40°C bis 85°C
• Datenspeicherung: mindestens 10 Jahre ohne externe Stromversorgung
• Daten werden bei Energieverlust automatisch geschützt
• CMOS-Technologie mit geringer Leistungsaufnahme
• Zugriffszeit, Lesen und Schreiben: 70ns
• Spannung, Schreibschutz: 4.37V
• Eingangs-/Ausgangskapazität: 5pF

Anwendungen

Entwicklung von Embedded-Systemen

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.

Hinweise

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