DS1230Y-120+

DS1230Y-120+ ist ein nichtflüchtiger 256K-SRAM in einem 28-poligen EDIP-Gehäuse. Dabei handelt es sich um einen nichtflüchtigen 262144-Bit-SRAM, der organisiert ist als 32768 Wörter x 8 Bit. Der NV SRAM hat eine eigenständige Lithium-Energiequelle und eine Steuerschaltung, die VCC kontinuierlich auf eine Bedingung außerhalb der Toleranzen überwacht. Wenn eine solche Bedingung auftritt, wird die Lithium-Energiequelle automatisch eingeschaltet, und der Schreibschutz wird uneingeschränkt aktiviert, um Datenkorruption zu verhindern. Der Baustein kann verwendet werden anstelle von bestehenden 32K x 8-SRAMs und entspricht direkt dem gängigen, Byte breiten, 28-poligen DIP-Gehäuse. Der DIP-Baustein entspricht der Pinbelegung von 28256-EEPROMs, wodurch er diese direkt ersetzen kann und gleichzeitig die Leistung steigert. Dank der flachen Bauweise ist dieser SRAM besonders geeignet für SMD-Anwendungen. Es gibt keine Begrenzung der Anzahl von Schreibzyklen, die ausgeführt werden können, und es ist keine zusätzliche Unterstützungsschaltung für den Anschluss an den Mikroprozessor erforderlich.

• Versorgungsspannungsbereich: 4.5V bis 5.5V
• Betriebstemperatur: 0°C bis 70°C
• Ersetzt flüchtigen SRAM, EEPROM oder Flash-Speicher, 32K x 8
• Unbegrenzte Schreibzyklen
• Energiesparendes CMOS-Design
• Zugriffszeit, Lesen und Schreiben: 120ns
• Lithium-Energiequelle ist nicht angeschlossen, um die Frische aufrecht zu erhalten, bis zum ersten Mal Strom angelegt wird

Anwendungen

Entwicklung von Embedded-Systemen

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.

Hinweise

Produkte von ADI sind (und werden) ausschließlich für den Gebrauch durch den Kunden autorisiert (und verkauft) und dürfen nicht weiterverkauft oder anderweitig an Dritte weitergegeben werden.