DS1225AD-150+

DS1225AD-150+ ist ein nichtflüchtiger 64K-SRAM in einem 28-poligen EDIP-Gehäuse. Dabei handelt es sich um einen nichtflüchtigen 65536-Bit-SRAM, der organisiert ist als 8192 Wörter x 8 Bit. Jeder NV SRAM hat eine eigenständige Lithium-Energiequelle und eine Steuerschaltung, die VCC kontinuierlich auf eine Bedingung außerhalb der Toleranzen überwacht. Wenn eine solche Bedingung auftritt, wird die Lithium-Energiequelle automatisch eingeschaltet, und der Schreibschutz wird uneingeschränkt aktiviert, um Datenkorruption zu verhindern. Der NV SRAM kann verwendet werden anstelle von bestehenden 8K x 8-SRAMs und entspricht direkt dem gängigen, Byte breiten, 28-poligen DIP-Gehäuse. Der Baustein entspricht der Pinbelegung von 2764-EPROM und 2864-EEPROM, wodurch er diesen direkt ersetzen kann und gleichzeitig die Leistung steigert. Es gibt keine Begrenzung der Anzahl von Schreibzyklen, die ausgeführt werden können, und es ist keine zusätzliche Unterstützungsschaltung für den Anschluss an den Mikroprozessor erforderlich.

• Versorgungsspannungsbereich: 4.5V bis 5.5V
• Betriebstemperatur: 0°C bis 70°C
• Daten werden bei Energieverlust automatisch geschützt
• Direkter Ersatz für flüchtigen SRAM oder EEPROM mit 8K x 8
• Unbegrenzte Schreibzyklen
• Energiesparendes CMOS-Design
• Zugriffszeit, Lesen und Schreiben: 150ns
• Lithium-Energiequelle ist nicht angeschlossen, um die Frische aufrecht zu erhalten, bis zum ersten Mal Strom angelegt wird

Anwendungen

Entwicklung von Embedded-Systemen

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.

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