ADR443BRZ

ADR443 ist eine äußerst rauscharme LDO-XFET-Spannungsreferenz mit Stromaufnahme und -bereitstellung. Diese Spannungsreferenz zeichnet sich durch ein äußerst geringes Rauschen, eine hohe Genauigkeit und einen niedrigen Temperaturdrift aus. Durch die Verwendung der Technologie zur Korrektur der Temperaturdriftkurve und die Verwendung der XFET (eXtra-Implanted-Junction-FET)-Technologie von Analog Devices, Inc. wird die Nichtlinearität von Spannungsänderung vs. Temperatur deutlich minimiert. Die XFET-Referenz bietet ein besseres Rauschverhalten als Buried-Zener-Referenzen und arbeitet mit einer niedrigen Versorgungsspannungsreserve (500mV). Dank der Kombination aus diesen Funktionen eignet sich der Baustein hervorragend für präzise Signalumwandlungsanwendungen in High-End-Datenerfassungssystemen, optischen Netzwerken und medizinischen Anwendungen. Er wird unter anderem in folgenden Anwendungen eingesetzt: Präzisions-Datenerfassungssysteme, hochauflösende Datenwandler, batteriebetriebene Messgeräte, tragbare medizinische Messgeräte, industrielle Prozesssteuerungssysteme, Präzisions-Messgeräte und optische Steuerschaltungen.

• Versorgungsspannung im Betrieb: 3.5 bis 18V
• Hoher Ausgangsstrom (Source und Sink): +10mA bzw. -5mA
• Ausgangsspannung, typ.: 3V; Anfangsgenauigkeit, max.: ± 1.2mV/0.04% (VIN = 3.5V bis 18V, TA = 25°C)
• Temperaturkoeffizient, max.: 3ppm/°C bei -40°C <lt/> TA <lt/> +125°C
• Unterdrückung der Restwelligkeit: -80dB bei fIN = 1kHz, VIN = 3.5V bis 18V, TA = 25°C
• Spannungsrauschen: 1.4µVp-p bei 0.1Hz bis 10Hz, VIN = 3.5V bis 18V, TA = 25°C
• Einschalt-Ausregelzeit: 10µs bei VIN = 3.5V bis 18V, TA = 25°C
• Netzregulierung, max.: +20ppm/V (-40°C <lt/> TA <lt/> +125°C)
• Lastregulierung: ± 50ppm/mA (ILOAD = 0mA bis -5mA, VIN = 5V, -40°C <lt/> TA <lt/> +125°C)
• 8-poliges SOIC-N-Gehäuse; Temperaturbereich: -40°C bis +125°C

Hinweise

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