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Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerAMS OSRAM GROUP
HerstellerteilenummerBPW34-B
Bestellnummer1212739
Technisches Datenblatt
Anzahl der Pins2Pin(s)
Bauform - DiodeDIP
Wellenlänge bei Spitzensensitivität850nm
Winkel halber Empfindlichkeit ±60°
Dunkelstrom2000pA
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
Produktbeschreibung
Die BPW34-B ist eine Silizium-PIN-Fotodiode mit verbesserter Empfindlichkeit im blauen Bereich und ist in einem DIL-Kunststoffgehäuse untergebracht. Sie eignet sich besonders für Anwendungen im Wellenlängenbereich von 350 bis 110nm und bietet einen Winkel für halbe Empfindlichkeit von 60°.
- Kurze Schaltzeiten: typ. 25ns
- DIL-Kunststoffgehäuse mit hoher Packungsdichte
- Strahlungsempfindliche Fläche: 2.73 x 2.73mm²
- Fotostrom: 14.8µA
Anwendungen
Industrie, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Wellenlänge bei Spitzensensitivität
850nm
Dunkelstrom
2000pA
Betriebstemperatur, max.
85°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Bauform - Diode
DIP
Winkel halber Empfindlichkeit ±
60°
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Great Britain
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Great Britain
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000076
Produktnachverfolgung