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15437385AA542
Infrarot-Emitter, 850 nm, 150 °, QFN, 260 mW/Sr
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerWURTH ELEKTRONIK
Herstellerteilenummer15437385AA542
Bestellnummer3619659
ProduktpaletteWL-SIQW Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 13,070 € |
| 5+ | 12,430 € |
| 10+ | 11,810 € |
| 50+ | 11,160 € |
| 100+ | 10,320 € |
| 250+ | 8,670 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
13,07 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerWURTH ELEKTRONIK
Herstellerteilenummer15437385AA542
Bestellnummer3619659
ProduktpaletteWL-SIQW Series
Technisches Datenblatt
Spitzenwellenlänge850nm
Halbwertswinkel150°
Bauform - DiodeQFN
Strahlungsintensität (Ie)260mW/Sr
Anstiegszeit-
Abfallzeit tf-
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)1.5A
Durchlassspannung Vf max.3.6V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
ProduktpaletteWL-SIQW Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Spitzenwellenlänge
850nm
Bauform - Diode
QFN
Anstiegszeit
-
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)
1.5A
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Halbwertswinkel
150°
Strahlungsintensität (Ie)
260mW/Sr
Abfallzeit tf
-
Durchlassspannung Vf max.
3.6V
Betriebstemperatur, max.
85°C
Produktpalette
WL-SIQW Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00884
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