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CAS175M12BM3
Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 228 A, 1.2 kV, 8000 µohm, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerWOLFSPEED
HerstellerteilenummerCAS175M12BM3
Bestellnummer4258105
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationHalbbrücke
KanaltypZweifach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id228A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand8000µohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins-
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.6V
Verlustleistung-
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Halbbrücke
Dauer-Drainstrom Id
228A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
8000µohm
Anzahl der Pins
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.6V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
-
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für CAS175M12BM3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.345637