Seite drucken
CAS120M12BM2
Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
22 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
Verfügbar, bis der Lagerbestand erschöpft ist.
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 543,830 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
543,83 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerWOLFSPEED
HerstellerteilenummerCAS120M12BM2
Bestellnummer2630836
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationHalbbrücke
KanaltypZweifach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id193A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.013ohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins-
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.6V
Verlustleistung925W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Alternativen für CAS120M12BM2
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
Anwendungen
Medizinelektronik
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Halbbrücke
Dauer-Drainstrom Id
193A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.013ohm
Anzahl der Pins
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.6V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
925W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.345637