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WNSC2D021200D6J
SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerWEEN SEMICONDUCTORS
HerstellerteilenummerWNSC2D021200D6J
Bestellnummer4014616
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
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| 100+ | 0,375 € |
| 500+ | 0,362 € |
| 1000+ | 0,348 € |
| 5000+ | 0,335 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerWEEN SEMICONDUCTORS
HerstellerteilenummerWNSC2D021200D6J
Bestellnummer4014616
Technisches Datenblatt
Produktpalette-
DiodenkonfigurationEinfach
Periodische Spitzensperrspannung1.2kV
Durchschnittlicher Durchlassstrom2A
Kapazitive Gesamtladung8nC
Bauform - DiodeTO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.175°C
DiodenmontageOberflächenmontage
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Produktpalette
-
Periodische Spitzensperrspannung
1.2kV
Kapazitive Gesamtladung
8nC
Anzahl der Pins
3 Pins
Diodenmontage
Oberflächenmontage
SVHC
To Be Advised
Diodenkonfiguration
Einfach
Durchschnittlicher Durchlassstrom
2A
Bauform - Diode
TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001