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Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
- Low input current, phototransistor output optocoupler
- Phototransistor optically coupled to a gallium arsenide infrared-emitting diode in 4 pin plastic DIP
- Temperature range - 55 °C to + 110 °C
- Rated impulse voltage (transient overvoltage) VIOTM = 6KVpeak
- Isolation test voltage (partial discharge test voltage) Vpd = 1.6KV
- Rated isolation voltage (RMS includes DC) VIOWM = 600VRMS
- Rated recurring peak voltage (repetitive) VIORM = 850 Vpeak
- Thickness through insulation greater than or equal to 0.4mm
- Used in circuits for safe protective separation against electrical shock according to safety classII
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
1 Kanal
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Isolationsspannung
5kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
70V
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Optokoppler
DIP
Durchlassstrom If, max.
60mA
CTR, min.
63%
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000998
Produktnachverfolgung