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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQJ146ELP-T1_GE3
Bestellnummer3581011
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,935 € |
| 10+ | 0,718 € |
| 100+ | 0,480 € |
| 500+ | 0,345 € |
| 1000+ | 0,313 € |
| 5000+ | 0,287 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQJ146ELP-T1_GE3
Bestellnummer3581011
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id88A
Drain-Source-Durchgangswiderstand5800µohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.7V
Verlustleistung75W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
88A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
75W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
5800µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.7V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung