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SQ2309ES-T1_GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.335 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,393 € |
| 500+ | 0,309 € |
| 1500+ | 0,257 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQ2309ES-T1_GE3
Bestellnummer2617108RL
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.335ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung3.3W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2.3A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3.3W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.335ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001361
Produktnachverfolgung