Seite drucken
SIR186DP-T1-RE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
6.151 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 1,510 € |
| 50+ | 0,974 € |
| 100+ | 0,708 € |
| 500+ | 0,582 € |
| 1500+ | 0,533 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
7,55 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR186DP-T1-RE3
Bestellnummer2785448
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0037ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.6V
Verlustleistung57W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
Dieser n-Kanal-MOSFET mit 60V (D-S) eignet sich für den Einsatz in folgenden Anwendungen: Synchrongleichrichtung, primärseitige Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiberschalter.
- TrenchFET® Gen IV-Leistungs-MOSFET
- Sehr niedrige Gütezahl (FOM) (RDS - Qi)
- Abgestimmt für die niedrigste FOM (RDS - Qoss)
- 100% Rg- und UIS-getestet
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
60A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
57W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0037ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.6V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIR186DP-T1-RE3
6 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000204
Produktnachverfolgung