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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIA110DJ-T1-GE3
Bestellnummer2932892
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,020 € |
| 10+ | 0,679 € |
| 100+ | 0,517 € |
| 500+ | 0,374 € |
| 1000+ | 0,340 € |
| 5000+ | 0,295 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIA110DJ-T1-GE3
Bestellnummer2932892
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.046ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SC-70
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung19W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12A
Bauform - Transistor
PowerPAK SC-70
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
19W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.046ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002