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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI2393DS-T1-GE3
Bestellnummer3263506
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
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|---|---|
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| 50+ | 0,384 € |
| 100+ | 0,245 € |
| 500+ | 0,186 € |
| 1500+ | 0,165 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI2393DS-T1-GE3
Bestellnummer3263506
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0227ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.2V
Verlustleistung2.5W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
- TrenchFET® Gen IV P channel power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
7.5A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0227ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen IV
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SI2393DS-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004
Produktnachverfolgung