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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI2319DS-T1-E3
Bestellnummer1838990
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.065ohm
Bauform - TransistorTO-236
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung750mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell SI2319DS-T1-E3 handelt es sich um einen -40V-p-Kanal-TrenchFET®-Leistungs-MOSFET. Der LITTLE FOOT®-Leistungs-MOSFET ist zur Oberflächenmontage ausgelegt und verwendet einen IC und Kleinsignalgehäuse, die modifiziert wurden, um die Wärmeleitfähigkeit bereitzustellen, die für Leistungsbausteine erforderlich sind.
- Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3A
Bauform - Transistor
TO-236
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
750mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.065ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Alternativen für SI2319DS-T1-E3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002