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SI1022R-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 50+ | 0,380 € |
| 100+ | 0,316 € |
| 500+ | 0,264 € |
| 1500+ | 0,225 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI1022R-T1-GE3
Bestellnummer2098044
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id330mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.25ohm
Bauform - TransistorSC-75A
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung250mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
SI1022R-T1-GE3 ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp) mit 60VDS und TrenchFET®-Technologie. Dieser Baustein eignet sich für Relais, Magnetspulen, Lampen, Anzeigen und Speichertreiber.
- 2000V Gate-Source-ESD-Schutz
- Niedriger ON-Widerstand
- Niedriger Schwellenwert
- Hohe Schaltgeschwindigkeit: 25ns
- Niedrige Eingangskapazität: 30pF
- Niedriger Eingangs- und Ausgangsleckstrom
- Miniatur-Bauform
- Halogenfrei
- Niedrige Offset-Spannung
- Niederspannungsbetrieb
- High-Speed-Schaltungen
- Niedrige Fehlerspannung
- Geringer Platzverbrauch auf der Leiterplatte
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Tragbare Geräte
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
330mA
Bauform - Transistor
SC-75A
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
250mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.25ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.009