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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerIRL630PBF..
Bestellnummer2396084
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds200V
Dauer-Drainstrom Id9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.4ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung74W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Alternativen für IRL630PBF..
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
The IRL630PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Repetitive avalanche rated
- Logic-level gate drive
- Ease of paralleling
- RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
9A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
5V
Verlustleistung
74W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.4ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002042