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TPWR8503NL,L1Q(M
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 0.00072 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTPWR8503NL,L1Q(M
Bestellnummer3870120
Auch bekannt alsTPWR8503NL ,TPWR8503NL,L1Q
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,800 € |
| 10+ | 1,830 € |
| 100+ | 1,290 € |
| 500+ | 1,190 € |
| 1000+ | 1,070 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
2,80 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTPWR8503NL,L1Q(M
Bestellnummer3870120
Auch bekannt alsTPWR8503NL ,TPWR8503NL,L1Q
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id300A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00072ohm
Bauform - TransistorDSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.3V
Verlustleistung2.5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
300A
Bauform - Transistor
DSOP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00072ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung