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2SC5200-O(Q)
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3PL, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
Herstellerteilenummer2SC5200-O(Q)
Bestellnummer3870093
Auch bekannt als2SC5200
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 4,020 € |
| 10+ | 2,640 € |
| 100+ | 1,860 € |
| 500+ | 1,540 € |
| 1000+ | 1,500 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
4,02 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
Herstellerteilenummer2SC5200-O(Q)
Bestellnummer3870093
Auch bekannt als2SC5200
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.230V
Dauer-Kollektorstrom15A
Verlustleistung150W
Bauform - TransistorTO-3PL
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz30MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.55hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
2SC5200-O(Q) is a silicon NPN triple diffused type transistor for power amplifier application.
- High breakdown voltage VCEO = 230V (min)
- Complementary to 2SA1943
- Suitable for use in 100W high fidelity audio amplifier’s output stage
- 150W collector power dissipation (Tc=25°C), 200pF (VCB=10V, IE=0, f=1MHz) collector O/P capacitance
- Collector cut-off current is 5μA max (VCB = 230V, IE = 0A, Ta = 25°C)
- Emitter cut-off current is 5μA max (VEB = 5V, IC = 0A, Ta = 25°C)
- Collector-emitter breakdown voltage is 230V min (IC = 50mA, IB = 0A, Ta = 25°C)
- Collector-emitter saturation voltage is 0.4V typ (IC = 8A, IB = 0.8A, Ta = 25°C)
- Transition frequency is 30MHz typ (VCE = 5V, IC = 1A, Ta = 25°C)
- Junction temperature is 150°C
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
15A
Bauform - Transistor
TO-3PL
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
55hFE
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
230V
Verlustleistung
150W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
30MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.009525
Produktnachverfolgung