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2SA1298-Y,LF(T
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 800 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
Herstellerteilenummer2SA1298-Y,LF(T
Bestellnummer4380978
Auch bekannt als2SA1298-Y, 2SA1298-Y,LF
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,248 € |
| 10+ | 0,160 € |
| 100+ | 0,0696 € |
| 500+ | 0,0658 € |
| 1000+ | 0,0619 € |
| 5000+ | 0,0607 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
Herstellerteilenummer2SA1298-Y,LF(T
Bestellnummer4380978
Auch bekannt als2SA1298-Y, 2SA1298-Y,LF
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.25V
Dauer-Kollektorstrom800mA
Verlustleistung200mW
Bauform - TransistorSOT-346
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz120MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.160hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauer-Kollektorstrom
800mA
Bauform - Transistor
SOT-346
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
160hFE
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
25V
Verlustleistung
200mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
120MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000012
Produktnachverfolgung