2.000 Sie können sich jetzt einen Nachschub sichern
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 0,764 € |
10+ | 0,546 € |
100+ | 0,462 € |
500+ | 0,394 € |
1000+ | 0,352 € |
2500+ | 0,349 € |
5000+ | 0,345 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
LM358N/NOPB von Texas Instruments ist ein energiesparender, zweifacher Operationsverstärker der Produktreihe LM158 in einem 8-poligen DIP-Gehäuse. Dieser Verstärker der Produktreihe LM158 besteht aus zwei unabhängigen Operationsverstärkern mit hoher Verstärkung und interner Frequenzkompensation, die speziell entwickelt wurden für den Betrieb mit einer einzigen Spannungsversorgung über einen großen Spannungsbereich. Der Baustein hat einzigartige Merkmale, z. B. dass der Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich im linearen Modus die Masse umfasst und die Ausgangsspannung zur Masse schwingen kann, selbst bei Betrieb von einer einzigen Versorgungsspannung, dass die Unity-Gain-Cross-Frequenz temperaturkompensiert ist und dass der Eingangsruhestrom ebenfalls temperaturkompensiert ist. Er wird üblicherweise verwendet bei aktiven Filtern, universeller Aufbereitung und Verstärkung und Stromschleifentransmittern mit 4 bis 20mA.
- Intern frequenzkompensiert für Unity-Gain
- Hohe DC-Spannungsverstärkung: 100dB
- Große Bandbreite (Unity-Gain): 1MHz
- Einfache Versorgungsspannung: 3V bis 32V
- Niedrige Eingangs-Offset-Spannung: 2mV
- Differenzeingangsspannungsbereich entspricht der Versorgungsspannung
- Großer Ausgangsspannungshub
- Ermöglicht die direkte Messung nahe GND und VOUT geht ebenfalls zu GND
- Kompatibel mit allen Logikformen
- Stromentnahme eignet sich für Batteriebetrieb
Hinweise
Nur bedingt ESD-sicher! Baustein muss bei Lagerung oder Handhabung kurzgeschlossen sein oder sich in leitfähigem Schaumstoff befinden, um Schäden an den MOS-Gates durch elektrostatische Entladung zu verhindern.
Hinweise
Device has limited built-in ESD protection, leads should be shorted together or the device placed in conductive foam during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.
Technische Spezifikationen
1MHz
3V bis 32V
8Pin(s)
0°C
-
-
DIP
1MHz
0.1V/µs
0.1V/µs
DIP
Geringe Leistungsaufnahme
70°C
-
No SVHC (27-Jun-2018)
-
2 Verstärker
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat