LM324N/NOPB

LM324N/NOPB ist ein Baustein, der vier unabhängige, intern frequenzkompensierte Operationsverstärker mit hoher Verstärkung umfasst, zum Betrieb mit einer einzigen Spannungsversorgung über einen großen Spannungsbereich. Ein Betrieb mit getrennten Spannungsversorgungen ist ebenfalls möglich, und die geringe Stromentnahme ist unabhängig von der Höhe der Versorgungsspannung. Anwendungsbereiche umfassen Messwandlerverstärker, DC-Verstärkerbausteine und alle herkömmlichen OP-Verstärkerschaltungen, die nun einfacher in Systemen mit einer Spannungsversorgung implementiert werden können. Zum Beispiel kann der Baustein der Produktreihe LM124-N direkt mit der Standard-Spannungsversorgung von 5V versorgt werden, die in digitalen Systemen verwendet wird und die erforderliche Schnittstellenelektronik einfach und ohne zusätzliche ± 15V-Spannungsversorgung bereitstellt.

• Intern frequenzkompensiert für Unity-Gain
• Sehr geringe Stromentnahme (700µA) - praktisch unabhängig von der Versorgungsspannung
• Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich umfasst die Gerätemasse
• Differenzeingangsspannungsbereich entspricht der Versorgungsspannung
• Keine zwei Spannungsversorgungen erforderlich
• Ermöglicht die direkte Messung nahe GND und VOUT geht ebenfalls zu GND
• Kompatibel mit allen Logikformen
• Stromentnahme eignet sich für Batteriebetrieb
• Im linearen Modus umfasst der Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich die Masse und die Ausgangsspannung
• Spannungshub zur Masse möglich, trotz Betrieb mit nur einer einzigen Spannungsversorgung
• Unity-Gain-Cross-Frequenz ist temperaturkompensiert
• Eingangsruhestrom ist ebenfalls temperaturkompensiert
• Hohe DC-Spannungsverstärkung: 100dB
• Niedriger Eingangsruhestrom: 45nA (temperaturkompensiert)
• Niedrige Eingangs-Offset-Spannung: 2mV
• Offset-Strom: 5nA

Anwendungen

Industrie, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte, Sensortechnik, Motorantrieb & -steuerung, Messtechnik

Hinweise

Nur bedingt ESD-sicher! Baustein muss bei Lagerung oder Handhabung kurzgeschlossen sein oder sich in leitfähigem Schaumstoff befinden, um Schäden an den MOS-Gates durch elektrostatische Entladung zu verhindern.

Hinweise

Versorgungsspannungen von über 32V bei einfacher Versorgung und außerhalb des Bereichs von ± 16V bei zweifacher Versorgung können zu einer dauerhaften Beschädigung des Bausteins führen.