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Produktspezifikationen
HerstellerTEXAS INSTRUMENTS
HerstellerteilenummerCSD19532Q5B
Bestellnummer3125059
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.004ohm
Bauform - TransistorVSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.6V
Verlustleistung3.1W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktbeschreibung
CSD19532Q5B ist ein NexFET™-n-Kanal-Leistungs-MOSFET zum Minimieren von Verlusten in Leistungsumwandlungsanwendungen. Dieser MOSFET eignet sich für die Verwendung in Synchrongleichrichtern für Offline- und isolierte DC/DC-Wandleranwendungen.
- Niedriger Qg und Qgd
- Niedriger Wärmewiderstand
- Avalanche-fähig
- Halogenfrei
- Kunststoffgehäuse
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
100A
Bauform - Transistor
VSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3.1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.004ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.6V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Alternativen für CSD19532Q5B
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000345
Produktnachverfolgung