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500+ | 2,710 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerTEXAS INSTRUMENTS
HerstellerteilenummerCSD19505KCS
Bestellnummer3009672
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id150A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0026ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.6V
Verlustleistung300W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktbeschreibung
Beim Modell CSD19505KCS handelt es sich um einen NexFET™-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für die Minimierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsanwendungen ausgelegt ist. Er eignet sich für die Verwendung in sekundärseitigen Synchrongleichrichteranwendungen.
- Qg und Qgd äußerst niedrig
- Niedriger Wärmewiderstand
- Avalanche-fähig
- Halogenfrei
- Kunststoffgehäuse
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 175°C
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
150A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
300W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0026ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.6V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.003652
Produktnachverfolgung