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1000+ | 0,457 € |
5000+ | 0,410 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerTEXAS INSTRUMENTS
HerstellerteilenummerCSD18504Q5A
Bestellnummer3009657RL
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0053ohm
Bauform - TransistorVSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.9V
Verlustleistung77W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktbeschreibung
Beim Modell CSD18504Q5A handelt es sich um einen NexFET™-n-Kanal-Leistungs-MOSFET zum Minimieren von Verlusten in Leistungsumwandlungsanwendungen. Dieser MOSFET eignet sich zur Verwendung in DC/DC-Wandlern, sekundärseitigen Synchrongleichrichtern und Motorsteuerungsanwendungen.
- Qg und Qgd äußerst niedrig
- Niedriger Wärmewiderstand
- Avalanche-fähig
- Halogenfrei
- Kunststoffgehäuse
- Logikpegel
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Computer & Computerperipheriegeräte, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
50A
Bauform - Transistor
VSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
77W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0053ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.9V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000109
Produktnachverfolgung