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CSD13202Q2
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,572 € |
| 10+ | 0,434 € |
| 100+ | 0,291 € |
| 500+ | 0,288 € |
| 1000+ | 0,286 € |
| 5000+ | 0,283 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerTEXAS INSTRUMENTS
HerstellerteilenummerCSD13202Q2
Bestellnummer3125008
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds12V
Dauer-Drainstrom Id22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0075ohm
Bauform - TransistorWSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.800mV
Verlustleistung2.7W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktbeschreibung
The CSD13202Q2 is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion and load management applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free
- Plastic package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Anwendungen
Power-Management, Tragbare Geräte, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
22A
Bauform - Transistor
WSON
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
2.7W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0075ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
800mV
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000027
Produktnachverfolgung