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NLV32T-4R7J-EF
Drahtgewickelte Induktivität, 4.7 µH, 1.5 ohm, 50 MHz, 220 mA, 1210 [Metrisch 3225]
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTDK
HerstellerteilenummerNLV32T-4R7J-EF
Bestellnummer2747919RL
ProduktpaletteNLV32-EF Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 0,139 € |
| 250+ | 0,115 € |
| 500+ | 0,102 € |
| 1000+ | 0,0896 € |
| 2000+ | 0,0839 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerTDK
HerstellerteilenummerNLV32T-4R7J-EF
Bestellnummer2747919RL
ProduktpaletteNLV32-EF Series
Technisches Datenblatt
Induktivität4.7µH
DC-Widerstand, max.1.5ohm
Eigenresonanzfrequenz50MHz
DC-Nennstrom220mA
Bauform/Gehäuse der Induktivität1210 [Metrisch 3225]
ProduktpaletteNLV32-EF Series
Induktivitätstoleranz± 5%
Bauart der InduktivitätUngeschirmt
KernmaterialFerrit
Produktlänge3.2mm
Produktbreite2.5mm
Produkthöhe2.2mm
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Induktivität
4.7µH
Eigenresonanzfrequenz
50MHz
Bauform/Gehäuse der Induktivität
1210 [Metrisch 3225]
Induktivitätstoleranz
± 5%
Kernmaterial
Ferrit
Produktbreite
2.5mm
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
DC-Widerstand, max.
1.5ohm
DC-Nennstrom
220mA
Produktpalette
NLV32-EF Series
Bauart der Induktivität
Ungeschirmt
Produktlänge
3.2mm
Produkthöhe
2.2mm
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung