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TIP32C
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,803 € |
| 10+ | 0,746 € |
| 100+ | 0,361 € |
| 500+ | 0,290 € |
| 1000+ | 0,255 € |
| 5000+ | 0,236 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerTIP32C
Bestellnummer9804161
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.100V
Dauer-Kollektorstrom3A
Verlustleistung40W
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz-
DC-Stromverstärkung (hFE), min.50hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The TIP32C is a -100V Silicon Epitaxial Base PNP Power Transistor intended for use in medium power linear and switching applications. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Complementary to the TIP31C
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauer-Kollektorstrom
3A
Bauform - Transistor
TO-220
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
50hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
100V
Verlustleistung
40W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
-
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für TIP32C
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001588
Produktnachverfolgung