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TIP142
Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,990 € |
| 10+ | 1,560 € |
| 100+ | 1,290 € |
| 500+ | 1,080 € |
| 1000+ | 0,983 € |
| 5000+ | 0,940 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerTIP142
Bestellnummer1653637
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Verlustleistung Pd125W
DC-Kollektorstrom10A
Bauform - HF-TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE1000hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell TIP142 ist ein komplementärer NPN-Darlington-Transistor. Der Baustein wird mittels Planartechnik mit einem „Base Island“-Layout einer monolithischen Darlington-Konfiguration hergestellt. Er bietet eine herausragend hohe Verstärkungsleistung gekoppelt mit einer sehr niedrigen Sättigungsspannung.
- Monolithische Darlington-Konfiguration
- Integrierte, antiparallele Kollektor-Emitter-Diode
Anwendungen
Audio, Signalverarbeitung
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Verlustleistung Pd
125W
Bauform - HF-Transistor
TO-247
DC-Stromverstärkung hFE
1000hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
DC-Kollektorstrom
10A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Alternativen für TIP142
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004082
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