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TIP125
Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 60 V, 65 W, 5 A, TO-220, 3 Pin(s)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,941 € |
| 10+ | 0,833 € |
| 100+ | 0,395 € |
| 500+ | 0,309 € |
| 1000+ | 0,264 € |
| 5000+ | 0,224 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerTIP125
Bestellnummer9804030
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo60V
Verlustleistung Pd65W
DC-Kollektorstrom5A
Bauform - HF-TransistorTO-220
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE1000hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell TIP125 handelt es sich um einen komplementären NPN-PNP-Leistungs-Darlington-Transistor. Der Baustein wird mittels Planartechnik mit einem „Base Island"-Layout und einer monolithischen Darlington-Konfiguration hergestellt. Damit bietet er eine herausragend hohe Verstärkungsleistung gekoppelt mit einer sehr niedrigen Sättigungsspannung.
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Verlustleistung Pd
65W
Bauform - HF-Transistor
TO-220
DC-Stromverstärkung hFE
1000hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
60V
DC-Kollektorstrom
5A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für TIP125
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002359
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