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HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTW26NM50
Bestellnummer1468007
ProduktpaletteSTW
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 11,840 € |
| 10+ | 6,880 € |
| 100+ | 6,120 € |
| 500+ | 6,110 € |
| 1000+ | 6,100 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
11,84 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTW26NM50
Bestellnummer1468007
ProduktpaletteSTW
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.12ohm
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung313W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSTW
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktbeschreibung
STW26NM50 ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET für 500V mit revolutionärer MDmesh™-Technologie, bei welcher das Verfahren mit mehrfachem Drain mit dem horizontalen Layout von PowerMESH™ verbunden wird. Dieser MOSFET bietet einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand, ein hervorragendes dV/dt-Verhalten und eine sehr gute Avalanche-Fähigkeit. Durch die verbesserte Gate-Ladung und geringere Leistungsverluste werden die heutigen hohen Anforderungen an den Wirkungsgrad erfüllt.
- Hervorragendes dV/dt-Verhalten und Avalanche-Fähigkeit
- Verbesserter ESD-Schutz
- Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
30A
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
313W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.12ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
STW
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für STW26NM50
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Nein
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004309
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