STPSC4H065B-TR

Die SiC-Schottky-Dioden von STMicroelectronics nutzen die deutlich höhere Leistung von Siliziumkarbid im Vergleich zu Standard-Silizium. Mit dem doppelten oder dreifachen Bandabstand gegenüber Silizium können SiC-Bausteine viel höheren Spannungen und elektrischen Feldern stand halten. Die niedrige Sperrverzögerungsladung sorgt für einen höheren Wirkungsgrad in allen Systemen dank der niedrigen Durchlassspannung, sodass die SiC-Dioden von ST ein Hauptfaktor für Energieeinsparungen sind. Diese Einsparungen sind in SNT-Anwendungen sowie in der Umwandlung von Solarenergie, in Ladestationen für Elektro- oder Hybrid-Elektrofahrzeuge und vielen weiteren Anwendungen zu finden. Die Dioden sind mit Eingangsspannungen von 600V bis 1200Vin sowie in Gehäusen zur Durchsteck- und Oberflächenmontage erhältlich.