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STP65N045M9
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP65N045M9
Bestellnummer4064205
ProduktpaletteMDmesh M9 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 7,250 € |
| 5+ | 6,410 € |
| 10+ | 5,570 € |
| 50+ | 5,450 € |
| 100+ | 5,320 € |
| 250+ | 5,210 € |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP65N045M9
Bestellnummer4064205
ProduktpaletteMDmesh M9 Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id55A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.039ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.7V
Verlustleistung245W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMDmesh M9 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
55A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
245W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.039ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.7V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
MDmesh M9 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0019