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STGSH80HB65DAG
IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGSH80HB65DAG
Bestellnummer4294108
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 23,190 € |
| 5+ | 20,110 € |
| 10+ | 17,020 € |
| 50+ | 16,850 € |
| 100+ | 16,680 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGSH80HB65DAG
Bestellnummer4294108
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
Dauer-Kollektorstrom83A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.7V
Verlustleistung250W
Betriebstemperatur, max.175°C
Bauform - TransistorACEPACK SMIT
IGBT-AnschlussLötanschluss
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
IGBT-Technologie-
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.7V
Betriebstemperatur, max.
175°C
IGBT-Anschluss
Lötanschluss
IGBT-Technologie
-
Produktpalette
-
Dauer-Kollektorstrom
83A
Verlustleistung
250W
Bauform - Transistor
ACEPACK SMIT
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Transistormontage
Oberflächenmontage
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0082